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200N12 TO-220封裝參數(shù)：點擊查看
200N12場效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
封裝類型：TO-220
極性：N溝道
極性：N溝道
漏極電流：200A
功率耗散：300W
柵極源極擊穿電壓：±20V
擊穿電壓：120V
存儲溫度：-55℃~+150℃
引腳數(shù)：3Pin
導(dǎo)通電阻ID=84A,VGS=10V：Typ 2.6mΩ Max 3.4mΩ
導(dǎo)通電阻ID=84A,VGS=4.5V：Typ mΩ Max mΩ
導(dǎo)通電阻ID=84A,VGS=4.5V：Typ mΩ Max mΩ
工作溫度：-55℃~+150℃
二、作用與應(yīng)用
200N12場效應(yīng)管的核心作用是作為電子開關(guān)使用。在電路中，它通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)漏源路徑上的電流流動，實現(xiàn)對負載的精確控制。由于其出色的電氣性能，200N12廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
電源管理：200N12可用于開關(guān)電源的開關(guān)控制部分，提高電源轉(zhuǎn)換效率。
信號放大：在信號放大電路中，200N12通過其高性能和可調(diào)控的電流特性，實現(xiàn)對信號的精準放大。
電機驅(qū)動：適用于低電壓、低電流的小型伺服電機控制或功率MOSFET門驅(qū)動器。
邏輯電路：200N12可用于實現(xiàn)數(shù)字邏輯功能，如與、或、非等邏輯門。
負載驅(qū)動：200N12可用于驅(qū)動小功率負載，如繼電器、LED等。
200N12場效應(yīng)管 TO-220封裝尺寸：
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