一、MOS管米勒平臺(tái)形成根源
MOS管的三個(gè)極之間天然存在寄生電容，具體包括：柵極與源極之間的寄生電容Cgs，漏極與源極之間的寄生電容Cds，以及柵極與漏極之間的寄生電容Cgd。這些寄生電容在電路運(yùn)行中扮演著關(guān)鍵角色。其中，Cgd寄生電容是引發(fā)米勒平臺(tái)現(xiàn)象的核心因素，也被稱作米勒電容。
在交流信號(hào)測量環(huán)境下，當(dāng)漏源短接時(shí)，測得的GS電容即為輸入電容Ciss=Cgs+Cgd。輸入電容充電至閾值電壓時(shí)，MOSFET得以開啟。而輸出電容Coss=Cds+Cgd，在其充放電過程中會(huì)產(chǎn)生COSS損耗。
當(dāng)MOSFET經(jīng)歷從截止區(qū)到放大區(qū)，再進(jìn)入可變電阻區(qū)的開通過程時(shí)（關(guān)斷過程則相反），特別是在放大區(qū)階段，米勒效應(yīng)使得隨著Vds的下降，Cgd電容顯著增大。此時(shí)，給Cgd電容充電的過程直接導(dǎo)致了米勒平臺(tái)的出現(xiàn)。
從理想放大器角度來看，米勒效應(yīng)可解釋為電抗變換致使電流增大，等效為電抗變小，輸入電抗變小對(duì)應(yīng)電容增大（Z=1/jωC）。
二、米勒平臺(tái)的負(fù)面影響
米勒平臺(tái)會(huì)使MOS管在開啟時(shí)上升沿時(shí)間延長，導(dǎo)致MOS管發(fā)熱加劇、損耗增加，主要表現(xiàn)為開關(guān)損耗的上升。
三、改善米勒平臺(tái)的有效策略
提升驅(qū)動(dòng)功率：采用MOS管專用驅(qū)動(dòng)芯片或圖騰柱電路，增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，加速電容充放電過程，從而在一定程度上縮短米勒平臺(tái)持續(xù)時(shí)間。
增加Cgs：在柵源極之間并聯(lián)電容，增大Cgs，使MOS管更易完全導(dǎo)通，進(jìn)而減少米勒平臺(tái)的影響。但需注意，此方法雖能抑制寄生電壓防止米勒平臺(tái)震蕩，卻會(huì)增加驅(qū)動(dòng)損耗，需根據(jù)實(shí)際電路要求權(quán)衡使用。
優(yōu)選MOS管：在電路設(shè)計(jì)初期，盡量選擇Cgd較小的MOS管，從源頭上削弱米勒平臺(tái)效應(yīng)。
優(yōu)化電路布局：縮短驅(qū)動(dòng)信號(hào)布線長度，降低寄生電感，進(jìn)而減少米勒平臺(tái)震蕩電壓過沖。同時(shí)，合理選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)電阻，協(xié)同調(diào)控米勒效應(yīng)的影響，提升電路整體性能和穩(wěn)定性。
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