H橋電路由兩個半橋組成，可改變驅(qū)動負(fù)載極性以控制電機(jī)方向，通過PWM占空比調(diào)節(jié)電機(jī)轉(zhuǎn)速。工作時，通過開關(guān)Q1-Q4的導(dǎo)通與關(guān)閉實現(xiàn)電機(jī)正反轉(zhuǎn)。為防止短路，需設(shè)置死區(qū)時間。負(fù)載為感性時，需二極管或MOS管續(xù)流以快速減小電流。實際應(yīng)用中多選擇NMOS，因PMOS高耐壓大電流型號較少，成本較高。
H橋電路是如何工作的？為什么四個開關(guān)管都選擇N管？
將兩個MOS管一上一下的方式放在一條直線上，叫做“半橋”，我們分別叫它上管和下管，而兩個半橋組合一起，就是H橋電路，正中心就是負(fù)載電機(jī)。
H橋電路可以改變驅(qū)動負(fù)載的極性，當(dāng)作為負(fù)載的電機(jī)極性被改變時，電機(jī)轉(zhuǎn)動的方向就會發(fā)生改變。
那么它可以應(yīng)用驅(qū)動直流電機(jī)，通過H橋電路來實現(xiàn)電機(jī)的方向控制，甚至可以-通過不同的PWM占空比，控制電機(jī)轉(zhuǎn)速。
那它是如何工作的呢？
當(dāng)Q1 和Q4導(dǎo)通時，Q2和Q3關(guān)閉，電流從VM流向Q1再到Q4最終到地。此時負(fù)載電機(jī)為正向轉(zhuǎn)動。
當(dāng)Q2和Q3導(dǎo)通，Q1和Q4關(guān)閉，電流從VM流向Q3再到Q2最終到地。此時負(fù)載電機(jī)反向轉(zhuǎn)動。
那如果Q1和Q2，或者Q3和Q4同時導(dǎo)通呢？
這時就會發(fā)生短路，因為VM和GND直接連通了。所以在做MOS驅(qū)動電路設(shè)計時需要留有死區(qū)時間，也就是上管和下管導(dǎo)通時有一定的間隔。
此外，它可以通過控制PWM的占空比來調(diào)節(jié)電機(jī)的轉(zhuǎn)速，當(dāng)占空比越大轉(zhuǎn)速就會越大，反之就會越小。
這里有個常見的問題，這里的負(fù)載是感性負(fù)載，所以當(dāng)PWM驅(qū)動時，Q1和Q4在導(dǎo)通后關(guān)閉時，負(fù)載的電流不會突變，那么就需要提供通路讓電流衰減下來。
尤其是在剎車階段，電流需要快速減少并使電機(jī)轉(zhuǎn)速減小。
這時就可以利用二極管續(xù)流或者M(jìn)OS管續(xù)流了。
二極管續(xù)流
當(dāng)Q1和Q4導(dǎo)通，電感的電流升高；當(dāng)Q1和Q4關(guān)斷時，Q2和Q3保持關(guān)斷，電感從GND流向D2再到D3最后到VM。不過由于二極管本身會存在壓降導(dǎo)致發(fā)熱，容易造成損耗，此外其電流下降速度也不快。
MOS管續(xù)流
當(dāng)Q1與Q4導(dǎo)通時，電感電流升高；
當(dāng)Q1與Q4關(guān)斷時，如果Q2與Q3開啟了，那么電感就會從GND經(jīng)過Q2再到Q3最終到VM，然后放電。由于MOS管的內(nèi)阻很小，電流可以直接流進(jìn)VM，隨后快速下降。
如果是電機(jī)正向調(diào)速時PWM控制，當(dāng)Q1與Q4重新開啟時，Q2和Q3關(guān)閉，電流重新增大。隨后Q1與Q4關(guān)閉,Q2與Q3關(guān)閉,電流繼續(xù)快速下降。
還有一個問題，在實際電路中通常會選擇4個NMOS，那PMOS不行嗎？
成本問題是必然的，還有就是對于高耐壓和大電流的PMOS型號，與NMOS相比會少的多，因此會優(yōu)先選NMOS。
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