平時(shí)在工作中和MCU打交道的時(shí)間非常多，但是大家知道只要是MCU就肯定會(huì)用到復(fù)位，因此每次設(shè)計(jì)電路，都少不了單片機(jī)復(fù)位電路，剛開始看到這個(gè)電路，因?yàn)殡娮又R很薄弱，有點(diǎn)看不懂，一直在想不是電容不能通直流電么，這玩意原理到底是什么？帶著這個(gè)疑問下面給大家介紹下常用的MCU復(fù)位電路。

復(fù)位是干嘛用的？

它這個(gè)電路用的時(shí)間很少，但是不能沒有，它其實(shí)就是讓MCU恢復(fù)到一個(gè)初始狀態(tài)，比如有時(shí)卡BUG了，通過復(fù)位就有可能解決問題，生活中最常見的復(fù)位功能按鈕，應(yīng)該是大家都用戶的路由器，背后有個(gè)小黑點(diǎn)，比如你密碼忘了，就可以 按一下復(fù)位小黑點(diǎn)，恢復(fù)出廠密碼。

下面給大家介紹幾種常見的復(fù)位電路：

高電平復(fù)位

這個(gè)電路圖看上去其實(shí)器件不多，但是第一眼看到就是有點(diǎn)想不通，電流怎樣通過電容？這是當(dāng)時(shí)的想法，現(xiàn)在懂了，哈哈，它的本質(zhì)就是一個(gè)RC充電電路，在上電瞬間，電容C11兩邊的電壓是不能突變的，因此這一瞬間電容C11的狀態(tài)等效為短路，這樣解釋大家肯定明白了，在這個(gè)瞬間電容C11為短路，那么RST這里就是高電平，單片機(jī)檢測到高電平，進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)，幾個(gè)毫秒之后，電容C11充滿電，也就是我理解的電容不會(huì)過直流電，這時(shí)RST會(huì)被拉成低電平，單片機(jī)檢測到低電平進(jìn)而停止復(fù)位。進(jìn)入正常工作狀態(tài)。

復(fù)位持續(xù)時(shí)間公式：T=（1/9)*R*C

低電平復(fù)位

在經(jīng)歷了上圖的分析之后 ，這個(gè)圖大家肯定一看就懂，這里只是根據(jù)MCU的要求改變了復(fù)位電平，下面具體分析一下，當(dāng)上電瞬間，電容C1處于短路狀態(tài)，這時(shí)RST就會(huì)被拉到低電平，單片機(jī)檢測到低電平進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)，幾個(gè)毫秒以后，電容C1充滿電，就會(huì)變?yōu)閿嗦窢顟B(tài)，這時(shí)RST就會(huì)被拉到高電平，單片機(jī)檢測到高電平，停止復(fù)位，單片機(jī)將進(jìn)入正常工作狀態(tài)。

復(fù)位持續(xù)時(shí)間公式：T=9*R*C

高電平按鍵復(fù)位

這個(gè)電路的不同點(diǎn)就是在原來的基礎(chǔ)上增加了手動(dòng)復(fù)位功能，和之前介紹的路由器復(fù)位一樣，下面具體介紹下：剛開始還是上電復(fù)位，當(dāng)開始上電時(shí)，電容C11進(jìn)行充電成短路狀態(tài)，這時(shí)RST會(huì)被拉成高電平，單片機(jī)檢測到高電平進(jìn)行復(fù)位，當(dāng)電容C11充滿電后，處于斷路狀態(tài)，這時(shí)RST會(huì)被拉到低電平，單片機(jī)停止復(fù)位，進(jìn)入正常工作狀態(tài)。接下來就是重頭戲，按鍵復(fù)位，當(dāng)發(fā)生異常在不下電的狀態(tài)下復(fù)位時(shí)，按下開關(guān)按鍵，這時(shí)電容兩邊短接放電，因此RST也會(huì)被拉到高電平，單片機(jī)開始復(fù)位，松開按鍵，電容開始充電，幾個(gè)毫秒以后，充電完成，電路處于斷路狀態(tài)，RST繼續(xù)被拉低，單片機(jī)進(jìn)入正常工作狀態(tài)。
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