高邊驅動
高邊驅動：開關位于電源和負載之間。
高邊驅動是指通過直接在用電器或者驅動裝置前通過在電源線閉合開關來實現(xiàn)驅動裝置的使能。高邊驅動形象點說，像在電路的電源端加了一個可控開關。高邊驅動就是控制這個開關的開關。
高邊驅動簡單理解：負載的一端默認與電路的負級即地保持連接，負載的另一端與開關連接，當開關導通時，負載的另一端與電源連接，負載開始工作，當開關與關斷時，負載的另一端與電源斷開，負載停止工作。高邊驅動（High Side Drivers），簡稱為HSD。
高邊驅動電路
P溝道增強型MOS晶體管和N溝道增強型MOS晶體管都可以用作高邊驅動，兩者的結構和工作原理都有所不同。
PMOS管作高邊驅動時，當VGS < VTH，NMOS管打開導通，此時Vo輸出為高，可以驅動外部負載；當VGS > VTH，NMOS管關閉，此時Vo輸出為低，輸出端關閉。
當PMOS由打開到關閉的過程中，感性負載會一直放電，從而在下降過程中出現(xiàn)箝位。
圖：PMOS作高邊驅動
NMOS管作高邊驅動時，當VGS < VTH，NMOS管關閉，此時Vo輸出為低，輸出端關閉；當VGS > VTH，NMOS管打開導通，此時Vo輸出為高，可以驅動外部負載，而NMOS導通時，VS近似為UB，故而VG須大于UB（13V），這便需要一個Pump將輸入端的電壓提高，如圖所示。
圖：NMOS管作高邊驅動
測試高邊驅動時步驟基本和測試低邊驅動相同，區(qū)別的是根據(jù)不同類型MOS管，其控制導通和關斷的順序不致。
PMOS管制作工藝復雜，成本較高；而NMOS管作高邊驅動，為了有較高輸入電壓，還需額外增加一個Pump。
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