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      6. 電路設計,MOS管電容近似計算方法介紹
        • 發布時間:2023-05-30 16:28:32
        • 來源:
        • 閱讀次數:
        電路設計,MOS管電容近似計算方法介紹
        MOS管
        Cox的理論計算方式
        在電路設計零極點計算中,我們經常需要對MOS管的柵電容進行理論估算,柵電容Cgg=Cox*W*L,W和L我們可以直接從器件參數得到,接下來我們需要知道MOS管的Cox具體值。
        Cox計算方式
        概念:
        (1)介電常數:
        它是表示絕緣能力特性的一個系數,符號為ε,單位為F/m(法/米)
        (2)相對介電常數:
        某種電介質的介電常數ε與真空介電常數ε0的比值,稱為該電介質的相對介電常數,符號為εr,即εr=ε/ε0,εr是無量綱的純數;
        其中真空介電常數ε0=8.854E-12F/m(記住),SIO2的相對介電常數為εr=3.9(記住),所以SIO2的介電常數ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m(記住)。
        (3)Cox計算
        Cox是介質的介電常數ε與tox的比值,tox可以在工藝model文件(.scs文件)中找到,以HHG90工藝為例:
        在model文件中可以查到NCH5的toxn=1.15E-08m,PCH5的toxp=1.14E-08m,SIO2的介電常數ε=3.9×8.854E-12F/m,
        Coxn=ε/toxn=3fF/um2;
        Coxp=ε/toxp=3.02fF/um2
        可見PCH5的Cox比NCH5略大,數值幾乎一致,可按照3fF/um2進行電容計算
        比如:W/L=100u:0.65u,m=200的PCH5,柵電容近似計算為:39pF
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