噪聲裕度和CMOS特性
在電氣工程領(lǐng)域，可以代數(shù)地將無噪聲的 壞情況下的輸入電平代數(shù)加到不引起輸出電壓偏離允許的邏輯電壓電平的外部信號的 電壓幅度稱為噪聲裕度。在通信系統(tǒng)工程領(lǐng)域，我們通常以分貝（dB）為單位測量噪聲容限。
此外，我們將噪聲容限定義為信號超過 可接受量的比率。關(guān)于數(shù)字電路，噪聲容限是信號超過產(chǎn)生“1”或“0”所需的閾值的量。
CMOS代表互補金屬氧化物半導體。其制造過程包括使用互補且對稱的p型和n型MOSFET對來實現(xiàn)邏輯功能。該技術(shù)正用于IC（集成電路）芯片，微控制器，CMOSBIOS，微處理器，存儲芯片和其他數(shù)字邏輯電路的構(gòu)造中。
我們還可以發(fā)現(xiàn)CMOS技術(shù)在諸如數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，RF電路，高度集成的收發(fā)器（通信）和圖像傳感器等模擬電路中的使用。總體而言，CMOS器件的兩個基本特征是低靜態(tài)功耗和高抗噪性。
由于一對MOSFET始終處于關(guān)斷狀態(tài)，因此串聯(lián)組合僅在開關(guān)狀態(tài)（開和關(guān)）時瞬間消耗大量功率。
結(jié)果，CMOS器件產(chǎn)生的熱量通常比其他形式的邏輯（例如TTL）產(chǎn)生的熱量少，即使它不改變狀態(tài)，該邏輯通常也具有恒定電流。
CMOS反相器的特性
CMOS技術(shù)輕松集成到芯片邏輯和VLSI芯片中。此外，它們以較高的速度運行，同時保持極少的功率損耗特性。此外，CMOS反相器提供了出色的邏輯緩沖功能，因為它的高和低噪聲容限同等重要。
現(xiàn)在，讓我們仔細看一下CMOS反相器的工作原理及其特性。首先，CMOS反相器包含連接到漏極和柵極端子的PMOS（p型）和NMOS（n型）晶體管。
而且，它在PMOS源極端子上包含電源電壓（VDD），并在NMOS源極端子上包含接地。它具有到柵極端子的VIN連接和到漏極端子的VOUT連接。
請記住，CMOS反相器在其設(shè)計中沒有使用電阻，因此與標準電阻MOSFET反相器相比，它具有更高的功率效率。
參考上面的CMOS反相器圖，由于CMOS器件輸入端的電壓在5伏和0伏之間變化，因此PMOS和NMOS的狀態(tài)將相應地不同。
因此，如果將每個晶體管建模為一個由VIN激活的簡單開關(guān)，那么毫無疑問，我們可以看到CMOS反相器的功能。
CMOS反相器中的噪聲裕度
現(xiàn)在，對于純數(shù)字反相器，由于存在一定程度的電容，它們不會立即從“1”（邏輯高）切換到“0”（邏輯低）。
當逆變器從邏輯高電平過渡到邏輯低電平時，會有一個不清楚的區(qū)域，在該區(qū)域中我們無法考慮電壓是低還是高。正是在這一時刻，我們認為這是我們的噪聲余量。
我們必須考慮兩個噪聲容限，它們分別是：高噪聲容限（NMH）和低噪聲容限（NML）。
邏輯高電平的驅(qū)動設(shè)備的電壓輸出（VOHmin）必須大于邏輯高電平的接收設(shè)備的電壓輸入（VIHmin）。
由于導線上存在噪聲，因此驅(qū)動設(shè)備輸出端的邏輯高信號可能會以較低電壓到達接收設(shè)備的輸入端。
因此，邏輯高電平的噪聲容限NMH=（VOHmin–VIHmin）是您仍然可以正確接收邏輯高電平信號的容差范圍。
對于噪聲容限，我們可以說相同，對于邏輯低電平，NML=（VILmax–VOLmax），這規(guī)定了線路上邏輯低電平信號的容限范圍。噪聲容限越小，表明電路對噪聲越敏感。
噪聲容限是設(shè)計容限的標準，可以在特定條件下建立適當?shù)碾娐饭δ堋Ｔ肼曉纯梢园娫矗\行環(huán)境，電場和磁場以及輻射波。晶體管的開關(guān)活動也會產(chǎn)生不希望的噪聲。因此，為了在特定的噪聲條件下提供適當?shù)木w管開關(guān)，電路的設(shè)計必須包括這些特定的噪聲容限。
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