為什么要把晶體管和場效應管一起講，因為他們容易混淆，一起說明更容易區(qū)別學習。
首先 晶體管。
我們也稱為三極管，分為PNP、和NPN型。在工藝上通常是一個半導體注入5價元素或3價元素來制作PNP或者NPN。
結構如上圖
一般是使用硅管或者鍺管，而且固定壓降是0.7v和0.3v。也就是說當三極管正常工作時時Ube = 0.7v/0.3V
各個級的英文單詞，方便記憶。e：elimt 發(fā)射，c：collect收集 b：base。
三極管會有三個狀態(tài)：放大、截至、飽和。
放大狀態(tài)：當發(fā)射結正偏、集電結反偏時，即UB<UC， UB>UE ,發(fā)射級的電子成功發(fā)射到集電極，這個時候，由ib控制ic，ic=βib（β為放大系數），所以三極管也叫電流控制電流的器件。這個時候，ic只受ib的控制（因為集電極電路影響很小，近似認為只受）
截至狀態(tài)：Ib=0，ic=0，或者發(fā)射結反偏都時截至狀態(tài)，這個時候集電極和發(fā)射極都相當于開路。
飽和狀態(tài)：發(fā)射極和集電極都正偏處于飽和狀態(tài)。這個時候ic不在受ib的控制，并且uce所占電壓很小，相當于導線，工程上我們認為硅飽和導通uce的壓降為0.3v，鍺管為0.1v。
第二主角：場效應管
我們也稱mos管，它是一種電壓控制電流的器件，有三個級，柵級g、漏極d、源極s。
分為三個形態(tài)，我們著重講增強型。
增強型的場效應管，有四個區(qū)，分別為截至區(qū)，可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿區(qū)和過損耗區(qū)。
可變電阻區(qū)特點：當Uds較小時，Id隨Ugs增大而增大。
恒流區(qū)：當Ugs一定時，Uds對id的影響很小。
截止區(qū)：當電壓小于開啟電壓1.5v時，mos不工作。
擊穿區(qū)：當uDS達到一定值時，場效應管被擊穿，ID突然增大。管子很容易燒壞。
過損耗區(qū)：id和uds都比較高，長期處于這種狀態(tài)，沒有很好的散熱措施，很可能由于功率較大，管子燒壞。
而耗盡型和增強型的區(qū)別就在于，當ug=0是，耗盡型ds相當于導通，而增強有開啟電壓。
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