場效應(yīng)管分類

場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完整絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中，應(yīng)用最為普遍的是MOS場效應(yīng)管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管，以及最近剛問世的πMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。

按溝道半導(dǎo)體資料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有加強(qiáng)型的。

場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)型；P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類。見下圖。

場效應(yīng)管的特點(diǎn)

場效應(yīng)管的特性是南柵極電壓UG；控制其漏極電流ID。和普通雙極型晶體管相比擬，場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性。

場效應(yīng)管的工作原理如圖4-24所示（以結(jié)型N溝道管為例）。由于柵極G接有負(fù)偏壓（-UG），在G左近構(gòu)成耗盡層。

當(dāng)負(fù)負(fù)偏壓(-UG)的絕對(duì)值增大時(shí)，耗盡層增大，溝道減小，漏極電流ID減小。當(dāng)負(fù)偏壓（一UG）的絕對(duì)值減小時(shí)，耗盡層減小，溝道增大，漏極電流ID增大。可見，漏極電流ID受柵極電壓的控制，所以場效應(yīng)管是電壓控制型器件，即經(jīng)過輸入電壓的變化來控制輸出電流的變化，從而到達(dá)放大等目的。

和雙極型晶體管一樣，場效應(yīng)管用于放大等電路時(shí)，其柵極也應(yīng)加偏置電壓。

結(jié)型場效府管的柵極應(yīng)加反向偏置電壓，即N溝道管加負(fù)柵壓，P溝道管加正柵爪。加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管應(yīng)加正向柵壓。耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管的柵壓可正、可負(fù)、可為“0”，見表4-2。加偏置的辦法有同定偏置法、自給偏置法、直接耦合法等。

場效應(yīng)管的參數(shù)

場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運(yùn)用時(shí)只需關(guān)注以下主要參數(shù)：飽和漏源電流IDSS夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源電流IDSM。

(1)飽和漏源電流

飽和漏源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。

(2)夾斷電壓

夾斷電壓UP是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道管的UGS一ID曲線，可明白看出IDSS和UP的意義。如圖4-26所示為P溝道管的UGS-ID曲線。

(3)開啟電壓

開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。如圖4-27所示為N溝道管的UGS-ID曲線，可明白看出UT的意義。如圖4-28所示為P溝道管的UGS-ID曲線。

(4)跨導(dǎo)

跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。9m是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。

(5)漏源擊穿電壓

漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場效應(yīng)管正常工作所能接受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必需小于BUDS。

(6)最大耗散功率

最大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。運(yùn)用時(shí)場效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。

(7)最大漏源電流

最大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許經(jīng)過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。

場效應(yīng)管的作用：

一、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

二、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。

三、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。

四、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

五、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。

MOS管、場效應(yīng)管。具有低內(nèi)阻、高耐壓、快速開關(guān)、雪崩能量高等特點(diǎn)，設(shè)計(jì)電流跨度1A-200A電壓跨度30V-1200V，我們可以根據(jù)客戶的應(yīng)用領(lǐng)域和應(yīng)用方案的不同作出調(diào)整電性參數(shù)，提高客戶產(chǎn)品的可靠性，整體轉(zhuǎn)換效率和產(chǎn)品的價(jià)格競爭優(yōu)勢。
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