MOS控制晶閘管(MCT)相關解析
MCT (Mlos Controlled GTO) MOS和GTO復合器件，在導通時門極反偏，P溝MOS起作用，截止時門極正偏N溝MOS起作用。
MCT結構原理圖，如圖所示MCT具有電流密度高的特點，200℃時達500A/cm2，小元件達6kA/cm2導通電壓低、損耗低、耐di/dt及dH/at能力強，dH /dt達8kV/μs，已做成5kV、2kA高耐壓、大電流的元件，據認為MCT很有希望替代GTO晶閘管。
EST (Emitter Switched Thyristor)還有與EST同樣結構元件叫ITT(IGBT Triggered Thyristor) 。圖為EST結構剖面圖，EST輸出特性。
DMT (Depletion Mode Thyristor) DMT的結 構和等效電路如圖所示，其原理是一個具有溝槽式結構的M0S控制極的晶閘管勢壘變化，進行導通、關斷。關斷電流在電阻性負載達2000A/cm2在高溫200℃關斷電流達500A/cm2比MCT大一個數量級。
MOS柵極控制晶閘管充分地利用晶閘管良好的通態特性、優良的開通和關斷特性，可望具有優良的自關斷動態特性、非常低的通態電壓降和耐高壓，成為將來在電力裝置和電力系統中有發展前途的高壓大功率器件。目前世界上有十幾家公司在積極開展對MCT的研究。
MOS控制晶閘管主要有三種結構：MOS控制晶閘管(MCT)、基極電阻控制晶閘管(BRT)及射極開關晶閘管(EST)。
MCT(MOS-Controlled Thyristor)是一種新型MOS與雙極復合型器件。它采用集成電路工藝，在普通晶閘管結構中制作大量MOS器件，通過MOS器件的通斷來控制晶閘管的導通與關斷。
MCT既具有晶閘管良好的關斷和導通特性，又具備MOS場效應管輸入阻抗高、驅動功率低和開關速度快的優點，克服了晶閘管速度慢、不能自關斷和高壓MOS場效應管導通壓降大的不足。
所以MCT被認為是很有發展前途的新型功率器件。MCT器件的最大可關斷電流已達300A，最高阻斷電壓為3KV，可關斷電流密度為325A/cm2，且已試制出由12個MCT并聯組成的模塊。
MOS控制晶閘管(MCT)最早由美國GE公司研制，是由MOSFET與晶閘管復合而成的新型器件。每個MCT器件由成千上萬的MCT元組成，而每個元又是由一個PNPN晶閘管、一個控制MCT導通的MOSFET和一個控制MCT關斷的MOSFET組成。
MCT是一個真正的PNPN器件，這正是其通態電阻遠低于其它場效應器件的最主要原因。MCT既具備功率MOSFET輸入阻抗高、驅動功率小、開關速度快的特性，又兼有晶閘管高電壓、大電流、低壓降的優點。
其芯片連續電流密度在各種器件中最高，通態壓降不過是IGBT或GTR的1/3，而開關速度則超過GTR。
一個MCT器件由數以萬計的MCT元組成，每個元的組成如下：PNPN晶閘管一個（可等效為PNP和NPN晶體管各一個），控制MCT導通的MOSFET（on-FET）和控制MCT關斷的MOSFET（off-FET）各一個。
當給柵極加正脈沖電壓時，N溝道的on-FET導通，其漏極電流即為PNP晶體管提供了基極電流使其導通，PNP晶體管的集電極電流又為NPN晶體管提供了基極電流而使其導通，而NPN晶體管的集電極電流又反過來成為PNP晶體管的基極電流，這種正反饋使α1+α2>1，MCT導通。
當給柵極加負電壓脈沖時，P溝道的off-FET導通，使PNP晶體管的集電極電流大部分經off-FET流向陰極而不注入NPN晶體管的基極，因此，NPN晶體管的集電極電流(即PNP晶體管的基極電流)減小，這又使得NPN晶體管的基極電流減小，這種正反饋使α1+α2<1,MCT關斷。
MCT阻斷電壓高，通態壓降小，驅動功率低，開關速度快。雖然MCT目前的容量水平僅為1000V/100A，其通態壓降只有IGBT或GTR的1/3左右，但其硅片的單位面積連續電流密度在各種器件中是最高的。
另外，MCT可承受極高的di/dt和du/dt，其值高達2000A/ s 和2000V/ s，這使得保護電路可以簡化。其工作結溫亦高達150～200℃。已研制出阻斷電壓達4000V的MCT，75A/1000VMCT已應用于串聯諧振變換器。
MCT的開關速度超過GTR，開關損耗也小。總之，MCT被認為是一種最有發展前途的電力電子器件。隨著性能價格比的不斷優化，MCT將逐漸走入應用領域并有可能取代高壓GTO，與IGBT的競爭亦將在中功率領域展開。
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