MOS FET繼電器的構(gòu)成和動(dòng)作原理
MOS FET繼電器是在輸出元件中使用功率MOS FET的SSR。為使功率MOS FET動(dòng)作， 光電二極管陣列作為受光元件使用。輸入端子中有電流流過時(shí)， LED會(huì)發(fā)光。這個(gè)光使光電二極管陣列中發(fā)生光電流， 這使柵極電壓使功率MOS FET置于ON。用源共通連接2個(gè)功率MOS FET， 可控制AC負(fù)載。DC專用的類型中有帶1個(gè)電源 MOS FET的類型。
信號(hào)用MOS FET繼電器G3VM不含變阻器。
MOS FET繼電器的名稱
該商品為新型商品， 在各個(gè)公司有各種名稱、商標(biāo)。下表表示信號(hào)用（相當(dāng)于G3VM） 的示例。
MOS FET繼電器的幾大優(yōu)勢(shì)
1、 超小型、輕量
2、 低驅(qū)動(dòng)電流
在推薦運(yùn)行條件（標(biāo)準(zhǔn)）下的驅(qū)動(dòng)電流為2-15mA。還有最小可用0.2mA驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)品，為整體設(shè)備的節(jié)能化作出貢獻(xiàn)。
3、 壽命長(zhǎng)
采用光信號(hào)傳輸方式，實(shí)現(xiàn)無接點(diǎn)構(gòu)造。不會(huì)因接點(diǎn)磨損而造成壽命縮短，實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)使用壽命。
4、 漏電流微小
能夠耐受外來浪涌，也不帶緩沖電路，正常情況下，典型漏電流最大僅為1nA。
5、 耐沖擊性優(yōu)勢(shì)
由于內(nèi)部零件完全為鑄模，也沒有活動(dòng)零件等機(jī)械零件，因此耐沖擊性、耐振動(dòng)性優(yōu)異。
6、 高絕緣性
將電壓轉(zhuǎn)換成光、并作為信號(hào)傳送，因此可對(duì)輸入輸出間進(jìn)行電路隔離。標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)可確保輸入輸出間耐電壓AC2500V。也可以提供高達(dá)AC5000的產(chǎn)品。另外，SOP封裝系列產(chǎn)品新增AC3750V產(chǎn)品。
7、 靜音
由于不會(huì)像機(jī)械式繼電器那樣因金屬接點(diǎn)產(chǎn)生開閉音，因此有助于設(shè)備的靜音化。
8、 高速響應(yīng)性
0.2ms（SSOP、USOP、VSON）的動(dòng)作時(shí)間比機(jī)械式繼電器的3ms-5ms明顯縮短。實(shí)現(xiàn)了迅速的響應(yīng)性。
9、正確控制微小模擬信號(hào)
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