除了DO、SMA、SMB、SMC、SOD、SOT等，二極管封裝形式還在不斷創(chuàng)新，其宗旨是降低寄生效應，提升器件的導通和開關速度。通過降低內(nèi)部電阻和提升熱性能，新型封裝還可提升小封裝的電流處理能力，提高器件可靠性。例如，Power QFN（PQFN）封裝本來是為集成電路芯片設計的，目前已經(jīng)被肖特基整流二極管廠家采用。
采用PQFN封裝的高能效肖特基整流二極管
1. 什么是PQFN封裝?
PQFN是英文Power Quad Flat No Leads縮寫，是基于JEDEC標準的四邊扁平無引腳（QFN）表面貼裝封裝的功率增強版本，PQFN封裝在四周底側(cè)裝有金屬化端子。這樣，就可采用標準化規(guī)則管理尺寸和端子配置，并為工業(yè)標準功率封裝奠定基礎，從而給新一代設計帶來先進性能。
在PQFN封裝內(nèi)，可以通過兩種技術(shù)創(chuàng)建從裸片到封裝端子之間的連接，為設計人員提供了多種具有成本效益、高性能的選擇。其中，PQFN 5×6銅片技術(shù)可用單個器件代替兩個或更多傳統(tǒng)器件，從而簡化設計并提高可靠性，并實現(xiàn)更優(yōu)的效率。
PQFN封裝在底側(cè)有一個或以上的裸熱焊盤，裸焊盤有助于降低裸片到PCB的熱阻，更利于散熱。更為重要的是，PQFN可輕松安裝在電路板上，并與現(xiàn)有表面貼裝回流技術(shù)兼容，因此能夠較輕松地設計到新的或現(xiàn)有的電路板中。
2. PQFN封裝尺寸范圍
作為QFN封裝的高功率版本，PQFN封裝焊盤腳位8-42個，最大封裝高度從0.9-2mm不等，焊盤間距一般為0.50mm、0.65mm、0.80mm、0.90mm。
PQFN封裝的主要特征
3. PQFN封裝的肖特基整流二極管
肖特基二極管具有超低導通電壓，功率損耗小，工作效率高等特點。例如，采用PQFN封裝的SMBRP20100肖特基整流二極管結(jié)到殼體熱阻為2.5°C/W，結(jié)到室溫熱阻為50°C/W。
該肖特基整流二極管系列反向重復峰值電壓Vrrm = 100V，反向峰值工作電壓Vrwm = 100V，最大DC阻斷電壓Vdc = 100V，最大平均正向整流電流 If(AV) = 20A，正向峰值電流IFSM = 150A。
值得注意的是，PQFN封裝的肖特基二極管不僅高性能，還具有良好的散熱性、可焊性和公工藝性。
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