肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
低壓降肖特基二極管是正向壓降比普通肖特基二極管還要低的一種半導(dǎo)體器件，可以理解成升級版性能更優(yōu)，壓降更低，效率更高的肖特基二極管
肖特基二極管SBT20V100也稱為金屬半導(dǎo)體結(jié)二極管20V100或者表面勢壘二極管20V100，具有正向耐大電流，反向恢復(fù)時(shí)間極快等優(yōu)點(diǎn)。伴隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步發(fā)展，對肖特基二極管的性能要求也越來越高，要求自身功率損耗更小，所以VF值與漏電流控制到更低的肖特基20100愈發(fā)被市場重視。
低VF值SBT20V100肖特基二極管的VF數(shù)值是指正向壓降值低，是由于電子元件本身具有一定的內(nèi)阻值，所以當(dāng)電路工作時(shí)元件自身會產(chǎn)生壓降，與電流形成電能的一定損耗。因?yàn)殡娐分须娏鞔笮∈翘囟ㄐ枨蟮模哉驂航抵档拇笮【团c自身功率損耗的多少形成正比。
文明與科學(xué)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步，對電子電器的節(jié)能提出更高的要求，必需減小對電能的無效浪費(fèi)是未來電子元件的大勢所趨。普通20安培TO-220封裝肖特基二極管VF值一般在0.7V-0.8V間，而我司現(xiàn)推出低VF肖特基SBT20V100，VF值低到0.6左右。在業(yè)界倍受稱贊。其VF值（正向壓降）相比普通肖特基二極管低了10%左右，相同工作效率下，SBT20V100自身電能損耗更小更節(jié)能有著無以比擬的優(yōu)勢。
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