首先，我們要清楚MOS管的原理，關于MOS管詳情這塊在mos管百科里面的《細說MOS管一》和《細說MOS管二》均有詳細的介紹，如果還不清楚的朋友可以先去了解一下，簡單來說，MOS管屬于電壓控制型半導體元器件，具備輸入電阻高、噪聲低、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作范圍大燈優(yōu)點。
那么，我們應該怎么去選擇合適的MOS管？
首先，我們應該先確定要采用N溝道還是P溝道的MOS管，如下圖：
從上圖可以看出N溝道和P溝道的MOS管存在明顯的差異，比如說當一度MOS管接地，而負載聯(lián)接到支線電壓上時，該MOS管就構成了高壓側電門，這時候就應采納N溝道MOS管。反過來當MOS管聯(lián)接到總線及負載接地時，就要用低壓側開關。一般會正在某個拓撲中采納P溝道MOS管；
其次我們將進一步深入確定電壓驅(qū)動所需要的額外電壓，或者說是該機件能夠接受的最大電壓，如下圖：
如上圖所示，MOS管額外電壓越大，這意味著需要選擇的MOS管VDS要求越大，根據(jù)MOS管能接受的最大電壓進行不同量度不同選型這一點尤其重要，當然一般情況下，便攜式設施為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC使用為450～600V。烜芯微生產(chǎn)的MOS管耐壓威力強，使用范圍廣，深受廣大用戶青眼，如有需求，
當額外電壓條件也篩選好后，就要確定MOS管所需要的額外直流電，所謂的額外直流電就是其實就是MOS負載正在一切狀況下可以接受的最大直流電。與電壓的狀況類似，確保所選的MOS管能接受某個額外直流電，即便正在零碎發(fā)生尖峰直流電時。兩個思忖的直流電狀況是陸續(xù)形式和脈沖尖峰。正在陸續(xù)導通形式下，MOS管在于穩(wěn)態(tài)，這時直流電陸續(xù)經(jīng)過機件。脈沖尖峰是指有少量電涌（或者尖峰電流）流過機件。一旦肯定了該署環(huán)境下的最大直流電，只要間接取舍能接受某個最大直流電的機件便可。
選好額外直流電后，還必需打算導通消耗。正在實踐狀況下，MOS管并沒有是現(xiàn)實的機件，由于正在導熱進程中會有動能消耗，這稱之為導通消耗。MOS管正在“導通”時就像一度可變電阻，由機件的RDS（ON）所確定，并隨量度而顯著變遷。機件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）打算，因為導回電阻隨量度變遷，因而功率耗損也會隨之按對比變遷。對于MOS管施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越小；反之RDS（ON）就會越高。留意RDS（ON）電阻會隨著直流電細微下降。對于于RDS（ON）電阻的各組電氣參數(shù)變遷可正在打造商需要的技能材料表中查到。
接下來就要判斷的條件就是系統(tǒng)所需要的散熱要求，這種情況下需要考慮兩種沒有不同的情況，即最壞狀況和真實狀況。
關于MOS管散熱這一塊，小編優(yōu)先建議采納對準于最壞狀況的處理后果，由于某個后果需要更大的保險余量，能確保零碎沒有會生效。正在MOS管的材料表上再有一些需求留意的丈量數(shù)據(jù)；機件的結溫等于最大條件量度加上熱阻與功率耗散的乘積（結溫=最大條件量度+［熱阻×功率耗散］）。依據(jù)某個式子可解出零碎的最大功率耗散，即按界說相同于I2×RDS（ON）。咱們已將要經(jīng)過機件的最大直流電，能夠打算出沒有同量度下的RDS（ON）。此外，還要辦好通路板及其MOS管的散熱。
山崩擊穿是指半超導體機件上的反向電壓超越最大值，并構成強磁場使機件內(nèi)直流電增多。晶片分寸的增多會進步防風崩威力，最終進步機件的穩(wěn)重性。因而取舍更大的封裝件能夠無效預防山崩。
最后的判斷條件就是MOS管的開關性能，如下圖：
從上圖可以看出，影響MOS管的開關性能因素有很多，最主要的還是電極/漏極、電極/源極及漏極/源極庫容這三方面的參數(shù)。電容器每次開關過程度會進行充電，這意味著在電容器會產(chǎn)生開關損耗，所以MOS管的開關速度就會降低，從而影響器件的效率，所以在挑選MOS管過程中還需要判斷計算出開關過程中器件的總損耗，要計算開通過程中的損耗（Eon）和關閉過程中的損耗（Eoff）。MOS管開關的總功率可用如下方程表達：Psw=（Eon+Eoff）×開關頻率。而柵極電荷（Qgd）對開關性能的影響最大。
綜合而言，要挑選合適的MOS管，要采納N溝道MOS管還是P溝道管MOS、MOS管的額外電壓及額外直流電、器件系統(tǒng)的散熱要求和MOS管的開關性能四大方面來作出相應的判斷。
關于如何挑選合適的MOS管今天就介紹到這里，希望能幫到大家。
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