3.場(chǎng)效應(yīng)管的分類

場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管則因柵極與其他電極完整絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用最為普遍的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡稱MOS管（即金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，MOSFET）；此外還有PMOS，NMOS和UMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及最近剛問世的，πMOS場(chǎng)效應(yīng)管等。按溝道半導(dǎo)體資料的不同，結(jié)型和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管各分為N溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，MOS柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有加強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和Mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)型，P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類。

4．主要參數(shù)

1)直流參數(shù)

開啟電壓UT：是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。

夾斷電壓uGS（Off，（也能夠用UP）：是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。

飽和漏極電流IDss：指耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管在UGS=o時(shí)的漏極電流。

輸入電阻RDS(DC)：因iG=0，所以輸入電阻很大。JPET的輸入電阻大于107Ω，MOSFET的輸入電阻大于1012Ω。 

2)交流參數(shù)  低頻跨導(dǎo)（互導(dǎo)）gm：反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制才能，且與工作點(diǎn)有關(guān)，是轉(zhuǎn)移特性曲線上過Q點(diǎn)切線的斜率。

3)極限參數(shù)  最大漏—源電壓U（BR)DS:漏極左近發(fā)作雪崩擊穿時(shí)的UDs（漏源電壓）。  最大柵—源電壓U（BR)CS:柵極與源極間PN結(jié)的反向擊穿電壓。  最大耗散功率PDM:與晶體管的PcM類似，當(dāng)功率超越PDM時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管可能燒壞。

場(chǎng)效應(yīng)管的命名辦法

第一種命名辦法：與雙極型晶體管相同，其中第三位字母為J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，為0代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管；

第二位字母代表資料，其中D是P型硅，其反型層是N溝道，C是N型硅，其反型層是P溝道。例如，3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)品體管，3D06C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。第二種命名辦法：CS X x#，其中CS代表場(chǎng)效應(yīng)管，xx是以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào)，#是用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格，如CS14A、CS45G等。
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