<blockquote id="7jea8"></blockquote>
        日韩成人电影一区二区,日韩第一页浮力,亚洲第一成人网站,国产久,少妇高潮视频,一本久道久久综合中文字幕,www.国产在线,亚洲成人资源在线

        您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

        深圳市烜芯微科技有限公司

        ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
        二極管、三極管、MOS管、橋堆

        全國服務(wù)熱線:18923864027

      1. 熱門關(guān)鍵詞:
      2. 橋堆
      3. 場效應(yīng)管
      4. 三極管
      5. 二極管
      6. 小功率場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)特性和分類-小功率場效應(yīng)管參數(shù)型號選
        • 發(fā)布時間:2019-08-29 11:01:43
        • 來源:
        • 閱讀次數(shù):
        小功率場效應(yīng)管
        小功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管。
        小功率場效應(yīng)管
        小功率場效應(yīng)管的分類與結(jié)構(gòu)
        (一)小功率場效應(yīng)管的分類
        小功率M場效應(yīng)管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱功率MOSFET(Power MOSFET)。結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管(Static Induction Transistor——SIT)。其特點是用柵極電壓來控制漏極電流,驅(qū)動電路簡單,需要的驅(qū)動功率小,開關(guān)速度快,工作頻率高,熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR,但其電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。
        (二)小功率場效應(yīng)結(jié)構(gòu)
        功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣符號如圖1所示;其導(dǎo)通時只有一種極性的載流子(多子)參與導(dǎo)電,是單極型晶體管。導(dǎo)電機理與小功率場效應(yīng)管管相同,但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別,小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?,功率場效?yīng)管大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),又稱為VMOSFET(Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。功率MOSFET為多元集成結(jié)構(gòu),如國際整流器公司(International Rectifier)的HEXFET采用了六邊形單元;西門子公司(Siemens)的SIPMOSFET采用了正方形單元。
        小功率場效應(yīng)管
        小功率場效應(yīng)基本特性
        靜態(tài)特性
        其轉(zhuǎn)移特性和輸出特性如圖2所示。
        漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性,ID較大時,ID與UGS的關(guān)系近似線性,曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gfs
        MOSFET的漏極伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對應(yīng)于GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的飽和區(qū))。電力MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài),即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管,漏源極間加反向電壓時器件導(dǎo)通。電力MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對器件并聯(lián)時的均流有利。
        小功率場效應(yīng)管
        動態(tài)特性
        其測試電路和開關(guān)過程波形如圖3所示。
        開通過程;開通延遲時間td(on) —up前沿時刻到uGS=UT并開始出現(xiàn)iD的時刻間的時間段;
        上升時間tr— uGS從uT上升到MOSFET進入非飽和區(qū)的柵壓UGSP的時間段;
        iD穩(wěn)態(tài)值由漏極電源電壓UE和漏極負載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關(guān),UGS達到UGSP后,在up作用下繼續(xù)升高直至達到穩(wěn)態(tài),但iD已不變。
        開通時間ton—開通延遲時間與上升時間之和。
        小功率場效應(yīng)管
        關(guān)斷延遲時間td(off) —up下降到零起,Cin通過Rs和RG放電,uGS按指數(shù)曲線下降到UGSP時,iD開始減小為零的時間段。
        下降時間tf— uGS從UGSP繼續(xù)下降起,iD減小,到uGS,關(guān)斷時間toff—關(guān)斷延遲時間和下降時間之和。
        開關(guān)速度
        MOSFET的開關(guān)速度和Cin充放電有很大關(guān)系,使用者無法降低Cin,但可降低驅(qū)動電路內(nèi)阻Rs減小時間常數(shù),加快開關(guān)速度,MOSFET只靠多子導(dǎo)電,不存在少子儲存效應(yīng),因而關(guān)斷過程非常迅速,開關(guān)時間在10—100ns之間,工作頻率可達100kHz以上,是主要電力電子器件中最高的。
        場控器件靜態(tài)時幾乎不需輸入電流。但在開關(guān)過程中需對輸入電容充放電,仍需一定的驅(qū)動功率。開關(guān)頻率越高,所需要的驅(qū)動功率越大。
        小功率場效應(yīng)管參數(shù)選型表
        小功率場效應(yīng)管
        烜芯微專業(yè)制造二三極管,MOS管,20年,工廠直銷省20%,1500家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
        相關(guān)閱讀
        主站蜘蛛池模板: 日韩精品人妻中文字幕有码| 精品无码成人片一区二区98| jizzjizzyou| 欧美视频免费一区二区三区| 无码精品久久久久久人妻中字| 日本熟妇视频| 欧美成人动态图| 亚洲成人性爱| 久久中文精品无码中文字幕下载| 日韩av影院在线观看| 久久精品国产99国产精品| 一级AV韩国| 最新午夜男女福利片视频| 三级三级久久三级久久| 在线 | 国产精品99传媒a| 国产五区| 国产成人无码网站m3u8| av高清| 他掀开裙子把舌头伸进去添视频| 亚洲 制服 丝袜 无码| 西西人体44www大胆无码| 2018av天堂在线视频精品观看 | 91色色视频| 色欧美片视频在线观看| 少妇特黄a一区二区三区| 天堂在线中文网www| 平顺县| jjzz国产| 97资源超碰| 国产人人干| 国产精品午夜福利在线观看| 国产婷婷精品av在线| 亚洲国产午夜精品理论片在线播放 | 久久99精品久久久久久琪琪| 美女秘密91| 3P性视频| 亚洲国产色婷婷久久99精品91| 国产日韩精品视频无码| 九九九免费观看视频| 狼人青草久久网伊人| 欧美大屁股xxxx高跟欧美黑人|