第一種：雪崩毀壞
假如在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且到達(dá)擊穿電壓V(BR)DSS （依據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)作毀壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)轉(zhuǎn)斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而招致毀壞的形式會惹起雪崩毀壞。典型電路：
第二種：器件發(fā)熱損壞
由超出安全區(qū)域惹起發(fā)熱而招致的。發(fā)熱的緣由分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。直流功率緣由：外加直流功率而招致的損耗惹起的發(fā)熱
●導(dǎo)通電阻RDS(on)損耗（高溫時(shí)RDS(on)增大，招致一定電流下，功耗增加）
●由漏電流IDSS惹起的損耗（和其他損耗相比極小）瞬態(tài)功率緣由：外加單觸發(fā)脈沖
●負(fù)載短路
●開關(guān)損耗（接通、斷開） *（與溫度和工作頻率是相關(guān)的）
●內(nèi)置二極管的trr損耗（上下橋臂短路損耗）（與溫度和工作頻率是相關(guān)的）器件正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)不發(fā)作的負(fù)載短路等惹起的過電流，形成瞬時(shí)部分發(fā)熱而招致毀壞。
另外，由于熱量不相配或開關(guān)頻率太高使芯片不能正常散熱時(shí)，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度招致熱擊穿的毀壞。
第三種：內(nèi)置二極管毀壞
在DS端間構(gòu)成的寄生二極管運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，由于在Flyback時(shí)功率MOSFET的寄生雙極晶體管運(yùn)轉(zhuǎn)，招致此二極管毀壞的形式。
第四種：由寄生振蕩導(dǎo)致的毀壞
此毀壞方式在并聯(lián)時(shí)特別容易發(fā)作在并聯(lián)功率MOSFET時(shí)未插入柵極電阻而直接銜接時(shí)發(fā)作的柵極寄生振蕩。高速重復(fù)接通、斷開漏極-源極電壓時(shí)，在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg構(gòu)成的諧振電路上發(fā)作此寄生振蕩。當(dāng)諧振條件(ωL=1/ωC)成立時(shí)，在柵極-源極間外加遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于驅(qū)動電壓Vgs(in)的振動電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓招致柵極毀壞，或者接通、斷開漏極-源極間電壓時(shí)的振動電壓經(jīng)過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形堆疊招致正向反應(yīng)，因而可能會由于誤動作惹起振蕩毀壞。
第五種：柵極電涌、靜電毀壞
主要有因在柵極和源極之間假如存在電壓浪涌和靜電而惹起的毀壞，即柵極過電壓毀壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端（包括裝置和和測定設(shè)備的帶電）而招致的柵極毀壞。
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